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首页 > | 外观设计 : 中华人民共和国国家知识产权局收录情况汇总： 32年 3821039篇 |
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具有多晶硅熔丝的半导体器件及其微调方法发明人:松永朋弘,最上弘司,申请人:松下电器产业株式会社,, 2004年
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半导体器件及其制造方法发明人:进藤昭则,申请人:精工爱普生株式会社,, 2004年
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柱形结构发明人:金辉·谭,刘世奎,庄汉·沈,巴拉苏布科马尼恩·西瓦格纳姆,罗斯马丽·塔卡普洛特,延元·庞,马·L·南·托伊,林中·信,申请人:先进封装技术私人有限公司,, 2004年
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半导体器件及其制造方法发明人:青柳哲理,申请人:精工爱普生株式会社,, 2004年
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液冷式电功率转换装置发明人:桥本隆,井手勇治,申请人:株式会社东芝,, 2004年
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半导体装置及其制造方法发明人:中野博隆,糟谷泰正,申请人:罗姆股份有限公司,, 2004年
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晶片级封装方法及结构发明人:游国周,官大双,陈盛龙,张逸明,申请人:联华电子股份有限公司,, 2004年
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单一晶体管型随机存取存储器的制造方法及其电容器结构发明人:蒋敏雄,申请人:台湾积体电路制造股份有限公司,, 2004年
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半导体器件的制造方法发明人:大村光广,片野真希子,伊藤彰子,松下贵哉,金子尚史,申请人:株式会社东芝,, 2004年
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在基底上制作集成电路及形成均匀铜内联机的方法发明人:余振华,曾鸿辉,申请人:台湾积体电路制造股份有限公司,, 2004年
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氧化硅沟填制程发明人:朱秀娟,黄稚铵,蔡腾群,陈能国,申请人:联华电子股份有限公司,, 2003年
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同时制造各种尺寸的隔离结构的方法发明人:余旭升,申请人:旺宏电子股份有限公司,, 2004年
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防止微粒附着装置和等离子体处理装置发明人:守屋刚,长池宏史,林辉幸,藤原馨,申请人:东京毅力科创株式会社,, 2004年
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半导体加工用粘着片及半导体加工方法发明人:山本昌司,高桥智一,申请人:日东电工株式会社,, 2004年
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半导体元件的安装方法及半导体元件安装基板发明人:内藤浩幸,仕田智,土师宏,森川诚,申请人:松下电器产业株式会社,, 2004年
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电子电路装置及其制造方法以及制造装置发明人:冢原法人,西川和宏,西田一人,申请人:松下电器产业株式会社,, 2004年
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引线框的制造方法、半导体装置的制造方法及半导体装置发明人:岸本一郎,申请人:罗姆股份有限公司,, 2004年
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碳化硅-氧化物层叠体及其制造方法以及半导体装置发明人:山下贤哉,北畠真,楠本修,高桥邦方,内田正雄,宫永良子,申请人:松下电器产业株式会社,, 2004年
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低电阻T形脊结构发明人:彼得·J·汉贝里,申请人:英特尔公司,, 2004年
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能防止湿式清洁过程导致之损坏的半导体装置的制造方法发明人:李圣权,李敏硕,申请人:海力士半导体有限公司,, 2004年
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