GaN基蓝光半导体激光器的发展Gallium nitride based blue laser diodes
作者:陈良惠,叶晓军,种明,
中图分类:TN3 > 半导体技术
文章介绍了下一代光存储用半导体激光器--GaN蓝光激光器的发展状况.对衬底材料的发展现状、外延片的生长技术以及激光器的制作工艺都作了论述.阐明了GaN激光器的一些技术路线,如GaN同质生长衬底的发展,侧向外延生长技术的采用以及湿法腐蚀腔面等……

脊形结构GaN蓝光激光器的热模拟分析Thermal Simulation of Ridge-GaN Laser Diode
作者:叶晓军,种明,陈良惠,
中图分类:TN248.4 > 半导体激光器、薄膜激光器
利用二维热传导模型分析了GaN激光器的温度特性.计算了有源区在连续工作条件下的最大温升,分析了激光器工作时的功率密度和p电极比接触电阻率等参数对温度特性的影响.模拟结果表明,采用不同衬底和不同装配形式对器件温度特性的影响很大,正装形式下,窄……

GaN蓝色激光二极管的研究进展Progress in the study of blue gallium nitride laser diodes
作者:宋登元,
中图分类:TN7 > 基本电子电路
GaN短波长激光器是最近取得突破性进展而备受关注的光电子学研究新领域.本文简要论述了20多年来在发展GaN发光器件过程中所克服的困难,介绍了目前这类激光器在解理法制备谐振腔端面、干法腐蚀和欧姆接触等关键工艺的进展情况.最后,综述了在获得室温……

AIN衬底上的GaN激光器及其制造方法
发明人:R·巴特,J·内皮尔拉,D·兹佐夫,C-E·扎,申请人:康宁股份有限公司,
提出了一种Ga(In)N基激光器结构及其相关制造方法，其中Ga(In)N基半导体激光器以避免半导体结构中不适当的拉伸应力所需要的方式形成在AlN或GaN衬底(20)上。根据本发明的一个实施例，Ga(In)N基半导体激光器提供在具有AlGaN……

激光剥离技术实现GaN薄膜从蓝宝石衬底移至Cu衬底Transferring GaN Film from Sapphire to Cu Substrate by Laser Lift-off
作者:方圆,郭霞,王婷,刘斌,沈光地,井亮,陈涛,
中图分类:TN304.055 > 半导体薄膜技术
在GaN薄膜表面电镀厚100μm的、均匀的金属铜作为转移衬底.采用激光剥离技术,在400mJ/cm2脉冲激光能量密度条件下,成功地将GaN薄膜从蓝宝石衬底转移至Cu衬底.激光剥离后Cu衬底上GaN薄膜的扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明,……

具有共掺杂增益介质的光学泵浦固态激光器
发明人:U·韦克曼,P·J·施米特,申请人:皇家飞利浦电子股份有限公司,
本发明涉及一种固态激光器，其包括固态基质材料的增益介质(6)，所述增益介质共掺杂有Ce³⁺-离子和另外的稀土材料的离子。所述基质材料被选择成使得Ce³⁺-离子的5d能带的下边缘在能量上高于另外的稀……

GaN基激光器的特性Characteristics of GaN based laser diode
作者:张立群,张书明,江德生,朱建军,赵德刚,杨辉,
万方期刊分类:TN > 无线电电子学与电信技术
GaN基激光器具有广泛的应用.如何获得平整腔面是蓝宝石衬底上制作GaN激光器的困难之一.通过对解理面的分析和不同衬底厚度时腔面形貌的比较,发现减薄衬底可以有效降低腔面粗糙度.当外延片厚度减薄至50μm时,获得近似镜面的腔面.激光器的测量证实……

脊形条宽对GaN激光器特性的影晌
作者:张立群, 张书明, 江德生, 朱建军, 赵德刚, 杨辉,
中图分类:TN2 > 光电子技术、激光技术
生长并制作了GaN基多量子阱激光器,研究了脊形条宽多激光器动态特性的影响。以c面蓝宝石为衬底,在金属有机物化学气相外延(MOCVD)系统上生长激光器外延片。制作了条宽分别为8μm、4μm、2.5μm的脊形波导激光器。通过对不同脊形条宽激光器……

InGaN基发光二极管和激光二极管InGaN-based Light-Emitting Diodes and Laser Diodes

中图分类:TN312.8 > 发光二极管
在InGaN发光二极管中,尽管存在着大量的位错,但其效率还是相当高的.用InGaN作为有源层是很重要的.在InGaN基LED的情况下,为产生光发射需要较高的激发功率.横向大面积外延生长的GaN激光二极管(LDs)是在厚的GaN衬底上外延制备……

HD-DVD光学系统物镜的设计与研究进展Progress in Design and Study of Objective Lens Used in HD-DVD Optical Systems
作者:陈丹,刘继桥,张广照,阮昊,
中图分类:TQ59 > 光学记录材料工业
对于下一代光盘系统而言,GaN激光器和高数值孔径(NA)的物镜是关键组件.本文介绍了几种HD-DVD光学系统物镜的设计方案,并对其进行比较研究,发现要根据不同的要求来设计物镜,对像差要求高的要采用两元件型或者三元件型物镜;而对于要求结构简单……