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横向随机晶场Ising模型的相图和磁化行为研究Phase diagrams and magnetization behaviors of transverse random crystal field Ising model

作者:许玲,晏世雷,
中图分类:O4 > 物理学
在有效场理论和切断近似框架内,选择自旋S=1的二维方格子,研究横向随机晶场Ising模型的相图和磁化行为,重点是横向随机晶场浓度和晶场比率对相图和磁化的影响.给出了T-Dx空间的相图和m-T空间的磁化图.在晶场稀疏情况下,负晶场方向存在临界……

32个点群的晶场势及其与坐标系的关系The crystal-field potentials of 32point-group and its relationships with coordinate-system

作者:李东阳,杜懋陆,黄毅,
万方期刊分类:NA > 大学学报(自然科学)
基于晶体场理论, 系统地给出了铁族离子32个点群的晶场势, 并研究了坐标系取法不同时晶场势的变化. 研究结果表明: 对铁族离子, 32个点群有8种不同形式的晶场势能. 绕z轴转动坐标系时, 晶场势相因子可变化. 在立方晶系中, 当z轴取向改……

三维横向晶场稀疏Ising模型的相变行为及磁化Phase transition behaviors and magnetizations of three-dimensional transverse crystal field dilution Ising model

作者:许玲,晏世雷,
中图分类:O4 > 物理学
在有效场理论和切断近似的框架内,研究自旋S=1横向晶场稀疏Ising模型的相变行为和磁化.研究发现晶场稀疏情况下,相图的负晶场方向存在临界温度的峰值,正晶场方向随晶场浓度的降低出现重入现象,高温和低温下的磁化存在许多差异.

稀土化合物TbNiAl4的磁性和晶场效应研究Magnetism and Crystalline Electric Field Effect of Rare Earth Compound TbNiAl4

作者:杜保立,胡保付,李玉山,路庆凤,
中图分类:O482.54 > 磁性材料
采用点电荷晶场理论模型,通过模拟W.D.Hutchison小组测量的磁化率倒数与温度的关系曲线,得到了稀土化合物TbNiAl4的晶场系数、晶场分裂能和相应波函数,并从理论上分析了晶场效应对化合物磁性的影响.计算表明,非Kramers离子Tb……

HoIG中Ho3+离子基态晶场能级的理论研究The oretical analysis of the crystal field split energy of the Ho3+ ion in HoIG

作者:马胜灿,杨杰慧,张现周,
中图分类:O482.55 > 磁光效应
分析了重稀土石榴石HoIG的晶体结构,利用晶场作用理论计算了HoIG中Ho3+离子所受其周围离子或原子对它的晶场作用;然后根据量子力学理论,解久期方程计算了Ho3+离子基态(4f10)5I8的晶场能级和晶场波函数.计算的晶场能级结果与实验值……

稀土化合物RE2Ge2In(RE=Ce,Pr,Nd)的磁性和晶场效应Magnetism and Crystalline Electric Field Effect of Rare Earth Compound RE2Ge2In(RE=Ce,Pr,Nd)

作者:李玉山,王海英,路庆凤,
中图分类:O482.54 > 磁性材料
基于晶场理论和分子场理论,采用点电荷晶场模型,通过模拟Zaremba小组的磁化率实验结果,得到了稀土化合物RE2Ge2In(RE=Ce,Pr,Nd)的晶场分裂能和相应波函数.计算表明,Kramer离子Ce3+和Nd3+在晶场效应的作用下简并……

Ce3+基态在正交晶场影响下分裂的理论计算THEORETICAL CALCULATION OF Ce3+ GROUND STATE FOR ORTHORHOMBIC CRYSTALLINE ELECTRIC FIELD

作者:邓德力,李玉山,
基于晶场理论,通过模拟三种相同晶系化合物CePdGa3、Ce3Ag4Ge4和Ce3Ag4Sn4的磁化率倒数-温度曲线,得到了晶场分裂能和相应波函数,并从理论上分析了晶场效应对稀土离子基态的影响.计算表明:Kramers离子Ce3+在正交晶场……

稀土化合物CeRhGe和CeRhSn晶场的理论计算Theoretical calculation of crystalline electric field for rare earth compound CeRhGe and CeRhSn

作者:李玉山,杜保立,王海英,张星,路庆凤,
中图分类:O482.54 > 磁性材料
晶场理论和分子场理论的基础上,通过模拟Taiki Ueda和M.S.Kim等人测量的磁化率实验结果,得到了稀土化合物CeRhGe和CeRhSn的晶场分裂,分析了晶场效应对化合物磁性质的影响.计算结果表明,Ce3+晶场分裂得到了双基态,两种……

稀土化合物RCuAs2(R=Ce,Pr,Nd,Tb)的晶场效应研究The Crystalline Electric Field Effect of Rare Earth Compounds RCuAs2 (R=Ce,Pr,Nd,Tb)

作者:袁延忠,李玉山,王海英,路庆凤,
中图分类:O482.54 > 磁性材料
通过对稀土化合物RCuAs2(R=Ce,Pr,Nd,Tb)的磁化率倒数-温度曲线的晶场模拟,得到了该系列化合物的晶场系数和晶场分裂能.并从理论上分析了晶场效应对化合物磁性的影响,计算结果与实验获得了较好的吻合.

Ce3Cu4X4(X=Sn,Ge)的晶场效应研究An Investigation on Crystalline Electric Field Effect of Ce3Cu4X4(X=Sn, Ge)

作者:路莹,
万方期刊分类:GA > 大学学报(教科文艺)
基于点电荷的晶场理论模型,通过对O.Zaharko等人磁化率倒数与温度关系曲线的模拟,得到了稀土化合物Ce3Cu4Sn4和Ce3Cu4Ge4的晶场分裂能和相应波函数.计算表明,Kramers离子Ce3+在晶场效应的作用下.基态简并部分消除得……
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