作者: 王小强, 秦水介, 中图分类:TN402 > 设计Golomb编码压缩算法已被广泛地应用于视频图像处理、测试数据压缩等众多领域.本文设计了一种有效的适合硬件实现的Golomb解码器,并且完成了解码器电路的硬件实现.本设计采用有限状态机(FSM)与计数器相结合的解码结构,并且对有限状态机的实……
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作者: 司卫华, 董晓文, 顾文琪, 中图分类:TN405 > 制造工艺纳米压印技术通过压印实现了纳米结构的图形转移,具有分辨率高、效率高、成本低的优点.通过对纳米压印过程中影响图形精度的一些因素进行分析,提出了相应的解决方法.结合研制的NIL-01型压印机进行工艺实验,给出纳米压印工艺实验的结果,并对结果进行……
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作者: 田招兵, 张永刚, 李爱珍, 顾溢, 中图分类:TN405.984 > 分子束外延采用气态源分子束外延(GSMBE)生长技术结合常规半导体工艺制成了正进光台面型8元In0.53Ga0.47As/InP光伏探测器阵列,并对其特性进行了测量,结果表明GSMBE生长的材料具有很好的均匀性.探测器阵列在室温下具有良好的性能,在-……
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作者: 董晓文, 司卫华, 顾文琪, 中图分类:TN405 > 制造工艺介绍了紫外纳米压印技术原理和自主研发的压印系统.设计了一种利用气囊气缸的新型找平装置,并描述了该装置的原理.研制了相应的光学系统,着重讨论了光学系统的设计和调整.最后,通过使用该系统成功制备了具有100 nm特征尺寸的纳米结构.
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作者: 邓勇, 宣晓峰, 许高斌, 杨明武, 中图分类:TP343 > 存贮器利用TCAD软件对单层多晶EEPROM器件特性进行了模拟分析,介绍了单层多晶EEPROM存储单元结构与原理的基础,针对TCAD软件中模拟分析单层多晶EEPROM器件特性时存在的困难,提出了一种两个MOS管外加电阻的等效模型来替代单层多晶EE……
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作者: 朱青云, 卢结成, 张小波, 鄢铭, 中图分类:TN402 > 设计设计了一种低功耗高动态范围的CMOS图像传感器16×16像素阵列电路,采用条件重置的方法,钟控比较器的低功耗设计及相关时序电路的优化,在扩展CMOS图像传感器的动态范围下,极大地降低了系统的功耗.实验表明,基于标准CSM 0.35μm 2P……
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作者: 邝嘉, 黄河, 中图分类:TN405.97 > 互连及多层布线技术利用多层金属导体寄生电容模型,详细分析了不同的金属互连线参数对寄生电容的影响,并采用一个闭合公式对超深亚微米级集成电路中的RC互连延迟进行估计.结果表明,当金属导线的纵横比接近2时,线间耦合电容对互连总电容的影响将占主导地位.在超深亚微米工……
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作者: 李小珍, 邢孟江, 朱樟明, 李跃进, 杨银堂, 中图分类:TN402 > 设计低温共烧陶瓷电容元件在微波多芯片组件设计中具有重要地位,其模型是系统仿真的关键.根据电容的物理结构特点,提出了一个可重构的高频电容模型,并给出其模型参数的计算公式.最后用ADS对双层电容和四层电容等效电路模型的S参数和用三维电磁场仿真软件的……
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