本文用热重分析仪、X射线衍射仪和扫描电子显微镜(SEM)研究了两种不同粒度(0.28～104.71 μm,39.81～954.99 μm)的碳化硅粉体在20~1 400 ℃温度范围内非等温氧化的特性,结果表明:(1)粒度较小的1#试样的比表面积是2#试样的20多倍,1#试样氧化开始温度为560 ℃,而2#试样的氧化开始温度为870 ℃,1#试样在1 400 ℃的氧化增重率为2.36%,2#试样的增重率为1.14%.这表明在相同实验条件下,碳化硅粒度越小,活性越高,氧化程度越高.(2)粒度较小的碳化硅氧化产物为方石英.(3)SEM表明SiC表面生成SiO2保护膜可封闭部分气孔,阻止O2向内扩散,为保护性氧化.

关键词: 粒度, 碳化硅, 氧化, | 全部关键词